“第一，奈米片電晶（GAAFET） 的刻蝕控制。
我們對奈米片疊層的度、柵極環繞的控制，極其不穩定，這是良率波的主要來源之一。”
“第二，高介電常數金屬柵極（HK） 的堆疊度和均勻。
新材料的熱預算和介面態極其敏，均勻偏差導致閾值電（Vt）漂移嚴重。”
“第三，也是最致命的，”他的語氣幾乎帶著一絕。
“極紫外（EUV）刻技的應用除錯。
EUV源的功率、穩定，以及配套的刻膠、掩版技，全部到最嚴格的限制，獲取極其困難，除錯進度幾乎停滯。
沒有穩定可靠的EUV刻，很多關鍵的細結構無法實現，良率和效能都無從談起。”
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