“波長在200奈米至350奈米的線被稱為深紫外線，目前大多數的研究，多是圍繞著深紫外線開展！對於更短波長的紫外線利用，目前還沒有明確穩定技！”
刻機以為刃，扮演的角就好比拍照時的相機。它過使用線把設計好的電路圖案準地“拍”到矽片上。極紫外，由於波長極短，所以能刻畫出更小的晶片特徵尺寸，因而了製造7奈米及以下先進製程晶片。
深紫外線在刻解析度上的效能，就不如極紫外線，刻解析度提升，晶片上可以容納的電晶數量就會倍增加，晶片效能也能大幅躍升。
當然，源的亮度和穩定也是必不可缺的！
“我們在過電磁學原理，電子在週期磁場中會一邊以速向前飛行，一邊左右擺，這樣電子就會向前輻出線··普朗克-因斯坦方程，其子能量從10.25電子伏特到124電子伏特···
放電等離子技，過高電場作用讓氣電離產生等離子····
適當地選擇週期磁場的強度，就會使得種子雷中的某個諧波分按照前述方式急劇地自激放大並達到飽和····最終得到穩定亮度的極紫外線源！”
“按著循序漸進來進展的話，436、365的紫外線源，193的深紫外線源···都可以用來做刻源的選擇，這些源的解析度，也是一個逐次上升的進度！”
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