第585章 國產刻機崛起的希！高通？小丑罷了！
EUV源，即13。5奈米波長的極深紫外，是實現「超電路雕刻」的核心，直接決定了晶片的最小線寬。整合度與效能上限。
只需一次曝，就能把掩版上的電路圖，複製到晶圓表層。
而傳統的DUV刻機，需過「多重曝」，才能形晶片所需的細線路。
來說，就是要對同一區域的刻膠進行2到4次刻與顯影作，最終效果才相當於 EUV刻機一次曝所能達到的水平。
梁勁松從格羅方德。聯華電子手裡購買的NXT 1950i DUV刻機，雖然也能生產14奈米。乃至10奈米的晶片，但必須利用多重曝工藝。
然而，多次曝會導致刻步驟增加，生產週期變長。良品率驟減。本迅速上升，至要高個30%到50%。
這也是為何阿斯麥只要不向華國的Fab工廠出售EUV刻機，便能牢牢卡住整個半導行業脖子的主要原因。
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