【己確認。開始深度分析。】
測試室裡，只有儀表的指示燈在眨眼。窗外，二號車間高窗出的那條白，像是冬夜裡的一個切口。
幾分鐘後，悉的條目結構浮現出來——
【一、敏引數初篩（基於現有與歷史統計）】
1【擴散爐2號支路：溫度曲線尾段（最後10min）】 · 當前設定：900℃ → 905℃，時間35→38min · 對良率敏度：高 · 表現： —— 批次C1/C2中，2號支路晶圓邊緣短路缺陷集中； —— 溫度曲線尾段上浮時，引數漂移類缺陷略有緩解，但總缺陷數變化不明顯； · 推斷：當前調整在“過補償/欠補償”邊緣，存在最佳視窗未被掃到。
2【刻對準餘量 + 膠厚均勻】 · 當前設定：對準餘量偏保守，膠厚控制主要依靠經驗； · 對良率敏度：中→高 · 表現： —— 缺陷分佈圖顯示，區域對準偏差與某些開路缺陷相關； —— 膠厚不均會導致刻蝕視窗差異，加重邊緣片問題；
3【刻蝕氣配比 + 時間】 · 當前設定：B1/B5配方差異較大，時間步進偏； · 對良率敏度：中 · 表現： —— 調整後短路類缺陷下降，引數漂移上升； —— 說明刻蝕在“修剪”部分缺陷結構的同時，也在放大工藝波。
4【金屬化退火溫度】 · 當前設定：參考老SRAM工藝，尚未針對MCU結構最佳化； · 對良率敏度：中 · 表現： —— 數“邊緣良品”在高溫退火後變死片； —— 推斷其工藝視窗存在最佳化空間，但相對優先順序低於擴散/刻。】
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