東京工業大學的半導實驗室如同被鋼鐵包裹的堡壘，地下五十米的防輻艙，分子束外延裝置正發出穩定的嗡鳴。
趙國強站在空間的全息投影前，指尖劃過螢幕，將防輻艙的結構圖放大到極致：三層鉛合金牆、十六組震測、遍佈角落的中子探測，甚至連通風管道里都裝著粒子計數。
“林先生要的鎵砷單晶生長系統，就在最裡面的無塵臺。”
他對著耳麥說道，那邊傳來林蘭英的聲音：“小心點，那套裝置的真空腔一旦洩，會釋放有毒氣。”
趙國強輕笑一聲，將空間口的座標鎖定在無塵臺正上方三十釐米——那裡恰好是測的盲區。
淡藍的幕無聲無息地展開，像一片流的水幕，準地包裹住整套裝置。
他甚至能過口看到裝置螢幕上跳的引數：襯底溫度580℃，分子束流強度3.2×101? ato/c·s。
當口緩緩收，真空腔的力錶指標紋不，那些價值千萬元的儀就這樣憑空消失，只留下無塵臺上一圈淡淡的印痕。
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