“氮化鎵GaN？”三人聞言，眼前一亮，這是個好東西，還有砷化鎵，銻化銦···搞半導的好材料。
“對，我們用氮化鎵作雷達的微波元件材料，同時以碳化矽SiC襯，氮化鎵GaN薄外延，襯底碳化矽是由碳和矽兩種元素組的化合半導單晶材料，它備頻寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高···”
“氮化鎵有極高的熱導率和電子遷移率，能夠在高功率和高溫環境下穩定工作，大幅提升了雷達的探測距離和度。兩者強強聯合，碳化矽作為襯底材料，支援氮化鎵的高效工作，進一步提高T/R元件的效能。”
“都是好東西，就是咱們國目前還沒掌握這兩種材料的提取製備技，實在是巧婦難為無米之炊！”他們在半導行業深耕，最是明白，現在國的況，興過後，憾不免隨之而來。
“碳化矽的製備工藝，鎵單質的提取，氮化鎵潔淨的生長，高純度矽晶片，切割工藝···”汪學武一樣樣細數所需要的工藝，不由得覺得牙倒吸一口冷氣，他們欠缺太多。從國外引進，現在是不現實的。
能提出這樣的設計，眼前這位年輕姑娘，的的確確，在半導上，造詣匪淺，他們來的很有價值！
以這孩子的年紀，他們逐漸老去，國半導後繼有人！
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