第611章 國產刻機的研發程序,至短了十年!
自從星源科技與華科協會下屬的電所,聯手研發出了『磁約束放電等離子源』(即P)技後,便開始著手攻克刻機的第二大技壁壘——學系統。
畢竟,單是『造出』還不行,還得『用好這束』,才能完晶圓曝,進而實現晶片的生產製造。
可讓陳延森頓無奈的是,國EUV源激發方式的主流研發方向,基本以雷產生等離子。放電等離子或者雷導放電等離子為主。
而星源科技學部絕大多數工程師的技能和專案經驗,都與研發需求不匹配。
所以在研發配套學系統時,進度極為緩慢。
要知道,EUV幾乎會被所有質吸收,因此無法使用傳統的玻璃鏡,整個路必須在真空環境中使用反式學系統。
收集鏡。照明系統。投影鏡系統。掩版和掩臺都得設計配套的技方案。
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